IGBT功率模塊,igbt模塊

　　IGBT功率模塊,igbt模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結構，igbt的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應用于伺服電機，變頻器，變頻家電等領域。

　　IGBT功率模塊,igbt模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅動功率小，控制電路簡單，開關損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優點。實質是個復合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優點于一體化。又因*的加工技術使它通態飽和電壓低，開關頻率高（可達20khz），這兩點非常顯著的特性，zui近西門子公司又推出低飽和壓降（2.2v）的npt-igbt性能更佳，相繼東芝、富士、ir,摩托羅拉亦己在開發研制新品種。

　　是*的第三代功率模塊，工作頻率1-20khz,主要應用在變頻器的主回路逆變器及一切逆變電路，即dc/ac變換中。例電動汽車、伺服控制器、ups、開關電源、斬波電源、無軌電車等。問世迄今有十年多歷史，幾乎己替代一切其它功率器件，例scr.gto,gtr,mosfet,雙極型達林頓管等淚今功率可高達1mw的低頻應用中，單個元件電壓可達4.okv（pt結構）一6.5kv（npt結構），電流可達1.5ka,是較為理想的功率模塊。