420v3300uf EPCOS電容B43456-S0338-M1

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Vacon偉肯變頻器電容B43456-S0338-M1

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鋁電解電容器選型要點：

1.容量和額定工作電壓：

在電容選型中，對電流變化頻率高的地方要選用較大容量的電容，但并非容量越大越好，需要考慮容量增大，成本和體積可能會上升及電容越大充電電流就越大，充電時間也會越長等因素。     

常用的固定電容工作電壓有6.3V、10V、16V、25V、50V、63V、100V、250V、400V、500V、630V。電容在電路中實際要承受的電壓不能超過它的耐壓值。在交流電路中，要注意所加的交流電壓zui大值不能超過電容的直流工作電壓值。

在濾波電路中，電容的耐壓值不要小于交流有效值的1.42倍。其次需要考慮工作電壓裕量，一般來說要在15％以上。讓電容器的額定電壓具有較多的余裕，能降低內阻、降低漏電流、降低損失角、增加壽命。

2.介質損耗：

電容器在電場作用下消耗的能量，通常用損耗功率和電容器的無功功率之比，即損耗角的正切值表示（在電容器的等效電路中，串聯等效電阻 ESR 同容抗 1/ωC 之比稱之為 Tan δ。 ESR 是在 120Hz 下計算獲得的值。顯然，Tan δ隨著測量頻率的增加而變大，隨測量溫度的下降而增大）。損耗角越大，電容器的損耗越大，損耗角大的電容不適于高頻情況下工作。

散逸因數dissipationfactor(DF)會以損失角tanδ表示，愈低愈好。此參數與溫度、容量、電壓、頻率……都有關系；當容量相同時，耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度，頻率上升而升高。

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3.ESR：

電容器會因其構造而產生各種阻抗、感抗。ESR(等效串聯電阻)及ESL(等效串聯電感)是容抗的基礎。一個等效串聯電阻（ESR）很小的電容相對較大容量的外部電容能很好地吸收快速轉換時的峰值（紋波）電流。用 ESR 大的電容并聯更具成本效益。

4.紋波電流和紋波電壓：

也稱作漣波電流和漣波電壓，即 ripple current，ripple voltage。含義是電容器所能耐受紋波電流/電壓值。紋波電壓等于紋波電流與ESR的乘積。

散逸因數dissipationfactor(DF)會以損失角tanδ表示，愈低愈好。此參數與溫度、容量、電壓、頻率……都有關系；當容量相同時，耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度，頻率上升而升高。

當紋波電流增大的時，即使在 ESR 保持不變的情況下，紋波電壓也會成倍提高。換言之，當紋波電壓增大時，紋波電流也隨之增大，這也是強調電容具備更低 ESR 值的原因。疊加入紋波電流后，由于電容內部的等效串連電阻（ESR）引起發熱，從而影響到電容器的使用壽命。一般的，紋波電流與頻率成正比，因此低頻時紋波電流也比較低。

額定紋波電流是在zui高工作溫度條件下定義的數值。而實際應用中電容的紋波承受度還跟其使用環境溫度及電容自身溫度等級有關。

5.漏電流：

電容器的介質對直流電流具有很大的阻礙作用。然而，由于鋁氧化膜介質上浸有電解液，在施加電壓時，重新形成的以及修復氧化膜的時候會產生一種很小的稱之為漏電流的電流。通常，漏電流會隨著溫度和電壓的升高而增大。它的計算公式大致是:I＝K×CV。漏電流I的單位是μA，K是常數。一般來說，電容器容量愈高，漏電流就愈大。從公式可得知額定電壓愈高，漏電流也愈大，因此降低工作電壓亦可降低漏電流。

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6.壽命: 

影響電容壽命的原因有很多，如過電壓，逆電壓，高溫，急速充放電等，正常使用的情況下，zui大的影響就是溫度，因為溫度越高電解液的揮發損耗越快。需要注意的是這里的溫度不是指環境或表面溫度，是指鋁箔工作溫度

因電容的工作溫度每增高10℃壽命減半，所以要注意壽命的測試溫度。每個廠商都有溫度和壽命的計算公式，在設計電容時要參照實際數據進行計算。需要了解的是要提高鋁電解電容的壽命，*要降低工作溫度，在PCB上遠離熱源，第二考慮使用zui高工作溫度高的電容，當然價格也會高。

7.阻抗：

在特定的頻率下，阻礙交流電流通過的電阻即為所謂的阻抗。它與電容等效電路中的電容值、電感值密切相關，且與 ESR 也有關系。電容的容抗在低頻率隨著頻率的增加而減小，中頻時電抗降至ESR的值。當頻率達到高頻時感抗變為主導，所以阻抗是隨著頻率的增加而增加。

開關電源中的輸出濾波電解電容，其鋸齒波電壓頻率高達數十kHz，甚至是數十MHz，這時電容量并不是其主要指標，衡量高頻鋁電解電容優劣的標準是“阻抗-頻率"特性，要求在開關電源的工作頻率內要有較低的等效阻抗，同時對于半導體器件工作時產生的高頻尖峰信號具有良好的濾波作用。

8.外型尺寸：

外型尺寸與重量及接腳型態相關。single ended是徑向引線式，screw是鎖螺絲式，另外還有貼片鋁電解電容等。一般來說，直徑相同、容量相同的電容，高度低的可以代用高度大的電容，但是長度高的替代低的電容時就要考慮機構干涉問題。

散逸因數dissipationfactor(DF)會以損失角tanδ表示，愈低愈好。此參數與溫度、容量、電壓、頻率……都有關系；當容量相同時，耐壓愈高的DF值就愈低。此外隨溫度，頻率上升而升高。